extremeultravioletlithography相关论文
极紫外光刻光学检测通常使用光纤点衍射干涉仪，光纤衍射的圆偏振态光束可以提高干涉条纹的对比度、减小衍射球面波的像散，对于提高检......
设计了一套极紫外光刻光源系统的光束准直系统，用于满足极紫外光刻光源系统对光束指向稳定性的需求，保证极紫外光的转换效率。准直系......
Mo/Si多层膜镀膜工艺是极紫外光刻的关键技术之一,为了优化并提升Mo/Si多层膜的镀膜工艺,研究了气压、靶-基底间距这两个工艺参数......
随着极紫外(EUV)光刻物镜的设计朝着组合倍率物镜系统的方向发展,物镜系统需要同时具有大视场和高数值孔径(NA),因而产生了物镜的......
为了实现极紫外光刻(EUVL)投影物镜光学元件均方根(RMS)0.2~0.3 nm的面形检测精度要求，研究了超高精度光学元件检测方法。采用误差......
提出了一种基于机器学习参数校正的极紫外光刻三维含缺陷掩模仿真方法。本方法采用随机森林、K近邻等机器学习方法,对基于结构分解......
16 nm极紫外光刻(EUVL)物镜热变形是影响其高分辨成像的主要因素之一。为了给EUVL系统热管理提供可靠的技术依据,对数值孔径为0.33......
开展了动态气体锁抑制率的实验研究，设计了一套极紫外真空动态气体锁实验验证系统；进行了真空抽气系统的详细设计，形成了具有实际可操......
投影物镜波像差在线检测技术是极紫外光刻(EUVL)实现32 nm及其以下技术节点的关键技术,对于光刻机的整机集成具有重要研究意义和实......
提出了一种极紫外光刻掩模多层膜相位型缺陷的形貌重建方法。采用表面与底部形貌参数表征相位型缺陷的三维形貌;采用原子力显微镜......
13.5 nm波长极紫外(EUV)光刻机的分辨率虽然很高,但因波长的减小使其对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光刻成像的影响。针......
极紫外光刻（EUVL）是最有可能实现22 nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外（EUV）光刻系统使用波长为13．5 nm，在此波段下曝光设备只能采用全......
